第3期
晶体硅金刚线切割废料氮化反应的研究
作者:孙钰杰,金星,邢鹏飞,董开朝,孔剑
作者机构:东北大学 冶金学院辽宁沈阳 110819
分类号:
卷号:
期号 : 2019 年, 第3期
页码:214 - 216
关键词: 晶体硅,金刚线切割废料,Si3N4,氮化反应,氮化温度,氮化时间
内容简介

摘要:为了综合利用晶体硅金刚线切割废料,以其为原料,使用卧式氮化炉进行氮化反应,研究了氮化温度(1 300、1 350、1 400、1 450和1 500 ℃)、氮化保温时间(1、1.5、2、2.5和3 h)以及α-Si3N4外加量(外加质量分数分别为0、5%、10%、15%和20%)对氮化反应的影响。结果表明:在一定范围内,氮化温度的升高有利于α-Si3N4、β-Si3N4和Si2N2O三种物相的生成;氮化时间的延长有利于α-Si3N4、β-Si3N4和Si2N2O三种物相的生成,但氮化时间过长会导致α-Si3N4转变为β-Si3N4,以及Si2N2O转化为Si3N4;以α-Si3N4为添加剂,有利于α-Si3N4的生成以及氮化反应的进行。综合考虑切割废料的氮化程度,较优氮化条件为1 400 ℃保温3 h,α-Si3N4添加剂外加量10%(w)。

所需耐材币:0
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