第4期
梭式氮化窑用Si3N4-SiC匣钵砖用后分析
作者:李勇1)王佳平1)朱晓燕1)薄钧2)张建芳2)
作者机构:1)北京科技大学 材料科学与工程学院北京 100083 2)中钢集团耐火材料有限公司河南洛阳 471039
分类号:
卷号:
期号 : 2010 年, 第4期
关键词: 氮化,梭式窑,匣钵砖,反应烧结,Si3N4-SiC材料
内容简介

摘要:利用XRD、SEM和EDAX对在梭式氮化窑中使用1年后的反应烧结Si3N4-SiC匣钵砖内外侧进行了分析。结果表明:在匣钵外侧(氧化气氛),匣钵砖表面12 mm厚的区域呈完全氧化状态,主要氧化产物是SiO2;紧随其后的12~20 mm区域呈部分氧化状态,氧化产物主要为Si2N2O及少量SiO2;20 mm以后区域无明显氧化特征。在匣钵内侧(氮气气氛),匣钵砖表面出现了约0.2 mm厚的氧化层,主要氧化产物是SiO2,该SiO2可能是由气态SiO氧化形成的,而气态SiO主要来自SiC的氧化及氮化过程中形成的气态SiO;从显微结构可以看出,SiC颗粒表面氧化明显。
关键词:氮化,梭式窑,匣钵砖,反应烧结,Si3N4-SiC材料

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