原文标准名称：半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

英文标准名称：Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth

中文主题词：合成石英坩埚

英文主题词：

标准号：T/NXCL 28—2024

标准状态：现行

国别：中国

发布日期：2024-02-06

实施或试行日期：2024-02-06

发布单位：宁夏材料研究学会

起草单位：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、宁夏大学、宁夏高创特能源科技有限公司、宁夏旭樱新能源科技有限公司

标准类型：产品

标准水平：国内先进

中国标准分类号：

国际标准分类号：29.045

页数：0

正文语种：中文

内容简介

本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。 本文件适用于合成石英砂（成分：二氧化硅）为内层原料，采用电弧熔融法工艺生产，应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。