申请号：CN201210093722.7

申请日：2012-03-31

公开(公告)号：CN102659447A

公开(公告)日：2012-09-12

主分类号：C04B38/06

分类号：C04B38/06;C04B35/565;B01D71/02;B01D67/00

颁证日：

优先权：

申请(专利权)人：中国科学院金属研究所

地址：110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

发明(设计)人：张劲松;田冲;曹小明;杨振明

国际公布：

进入国家日期：1900-01-01

专利代理机构：沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：张志伟

内容简介

本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法,该种纯质碳化硅过滤膜层具有高通孔隙率、低压降、强度高、抗热冲击性能好、使用温度高的特点,制备方法易于实现,能够保证产品性能。纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1～20μm,膜层孔隙率在25～50％之间。采用细碳化硅颗粒、硅粉、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料,采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层,经干燥后,烧结得到纯质碳化硅膜层。本发明可在氧化气氛下使用,也可以在还原气氛下使用,耐酸、碱腐蚀性能强,可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。