申请号：CN200810048257.9

申请日：2008-07-03

公开(公告)号：CN101306952

公开(公告)日：2008-11-19

主分类号：C04B35/66(2006.01)

分类号：C04B35/66(2006.01)

颁证日：

优先权： 无

申请(专利权)人：武汉科技大学

地址：430081湖北省武汉市青山区建设一路

发明(设计)人： 祝洪喜;邓承继;白晨

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构：武汉开元专利代理有限责任公司

代理人： 樊戎

内容简介

本发明涉及一种以镁橄榄石和C合成的MgO－SiC－C质材料及其制备方法。所采用的技术方案是：按摩尔比先将1～4mol的镁橄榄石矿粉和3～6mol的C粉混合，外加上述混合料质量百分含量4～10％的结合剂，搅拌或混碾10～30分钟，经压制成型后干燥。然后在还原气氛下烧结，烧结温度为1450～1700℃，保温时间为2～8小时，得MgO－SiC－C质复合材料。本发明所采用的工业炭粉原料来源广泛、镁橄榄石矿的资源丰富，不仅可有效解决镁砂资源紧缺的问题，且生产成本低。所制备的MgO－SiC－C质复合材料，可保持材料优良的性能，能减缓材料的蚀损，使用寿命延长。