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耐脆化性能优良的二硅化钼基耐高温氧化材料及发热材料

申请号:CN00800826.4

申请日:2000-04-11

公开(公告)号:CN1304388

公开(公告)日:2001-07-18

主分类号:C04B35/58

分类号:C04B35/58

颁证日:

优先权:

申请(专利权)人:株式会社日本能源

地址: 高垣大辅;高村博

发明(设计)人:日本东京都

国际公布:

进入国家日期:

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人: 卢新华;杨丽琴

内容简介

本发明涉及一种耐脆化性能优良并以MoSi2为主成分的耐高温氧化材料及发热材料,它们由MoSi2基材或以70重量%以上的MoSi2,为主成分的基材构成,在对该基材进行X射线衍射法(Cu,Kα)分析时,Si的主峰(2θ=28.440°,按JCPDS规定)衍射强度相当于MoSi2主峰(2θ=44.684°)衍射强度的1/100以下,而且Mo5Si3的主峰(2θ=38;405°,按JCPDS规定)衍射强度处于MoSi2主峰(2θ=44.684°)衍射强度的1/300以上至1/10以下的范围内。

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所需耐材币:0

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