申请号：CN01100449.5

申请日：2001-01-12

公开(公告)号：CN1364745

公开(公告)日：2002-08-21

主分类号：C04B35/56

分类号：C04B35/56;C04B35/64

颁证日：

优先权：

申请(专利权)人：北京科技大学

地址：100083北京市海淀学院路30号

发明(设计)人： 葛昌纯;曹文斌;沈卫平;李江涛;武安华

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构：北京科大华谊专利代理事务所

代理人： 刘月娥

内容简介

本发明涉及一种通过成分分布设计和热压烧结方法制备SiC/C和B4C/C功能梯度材料的方法。特征在于，向低原子序数陶瓷－碳块体梯度材料原料中加入烧结助剂,对于SiC/C FGM,采用活性碳粉和B粉作SiC的烧结助剂,SiC的烧结助剂B+C含量应在1－10wt%(重量百分比),碳材料添加剂B的含量应在1－10wt%。B4C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用线性成分分布设计,B4C/C FGM采用S型成分分布设计。在氩气气氛中,压力为15－50MPa、温度为1900℃－2200℃,保温1－3小时。优点在于，具有优良的耐高温等离子体冲刷,抗热冲击和耐化学溅射性能。