申请号：CN200510018153.X

申请日：2005-01-17

公开(公告)号：CN1654416

公开(公告)日：2005-08-17

主分类号：C04B35/04

分类号：C04B35/04;C04B35/584

颁证日：

优先权：

申请(专利权)人： 武汉科技大学

地址： 430081湖北省武汉市青山区建设一路

发明(设计)人： 李楠

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构： 武汉开元专利代理有限责任公司

代理人： 樊戎

内容简介

本发明涉及一种方镁石-碳化硅复合材料及其制备方法。采用的技术方案是，按重量百分含量将60～90％电熔或烧结镁砂、10～40％碳化硅、外加3～8％的结合剂、0～1％的六次甲基四胺为固化剂，搅拌混合，压制成型，在110～350℃下烘烤2～24小时。本发明所制备的复合材料既具有高熔点及较高的热导率，特别是具有自保护氧化特性，即SiC氧化后在SiC颗粒表面形成一层氧化硅保护膜，保护颗粒内部的SiC不被进一步氧化。本发明用SiC取代石墨可大大提高材料的抗氧化性。又由于本发明在结合剂中引入氧化硅溶胶和二氧化硅物粉可以提高材料的中温强度。该材料可用做冶金炉及容器的内衬。