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逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料的方法

申请号:CN200710098996.4

申请日:2007-05-08

公开(公告)号:CN101054301

公开(公告)日:2007-10-17

主分类号:C04B35/64

分类号:C04B35/64;C04B35/565;C04B35/584

颁证日:

优先权:

申请(专利权)人: 北京通达耐火技术有限公司;北京科技大学

地址: 100085北京市海淀区德胜门外西三旗

发明(设计)人: 王林俊;孙加林;吴宏鹏;洪彦若;任颖利;冯运生

国际公布:

进入国家日期:

专利代理机构: 北京科大华谊专利代理事务所

代理人: 刘月娥

内容简介

一种逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料的方法,属于无机非金 属材料科学工程技术领域。工艺为:配料:所用原料是:Si3N4和SiC, 添加剂为Al、Si、SiO2中的1~3种,结合剂为树脂;其重量百分比为: Si3N4:5-35%,添加剂:0-10%,结合剂:0.5-9.5%,余量:SiC; 成型:将上述原料的混合物在搅拌机中混合后,成型,压制后的密度为: 2.00-2.80g/cm3;烧成:将上述方法制得的坯体经干燥后在窑炉中进 行烧成,在600-1500℃,控制升温速度10-60℃/小时,烧成温度1350 -1500℃,保温1-12hr。优点在于,使制备的氮化硅碳化硅复合材料 具有较高的性能,而且制备工艺所使用的设备简单,安全可靠,易于控 制,便于大规模生产。

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所需耐材币:0

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