第2期
AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
作者:王露露1, 2) 马北越2) 刘春明1) 邓承继3) 于景坤2)
作者机构:1)东北大学 材料科学与工程学院 辽宁沈阳 110819 2)东北大学 冶金学院 辽宁沈阳 110819 3)武汉科技大学 省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室 湖北武汉 430081
分类号:
卷号:
期号 : 2022 年, 第2期
页码:180 - 184
关键词: AlN;烧结技术;烧结助剂
内容简介

 

微电子技术的飞速发展对芯片基板和封装材料性能的要求越来越高。AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势。

 

 

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