第1期
利用晶体硅砂浆切割废料原位合成高品质SiC/B4C复合陶瓷粉
作者:刘 坤 ,高帅波, 仇 知, 郭静霓, 邢鹏飞, 闫 姝, 冯忠宝, 都兴红
作者机构:东北大学 冶金学院辽宁沈阳 110819
分类号:
卷号:
期号 : 2020 年, 第1期
页码:5 - 9
关键词: 碳化硼;碳化硅;陶瓷粉;物相组成;晶体结构
内容简介

为了综合利用晶体硅砂浆切割废料,以硼酸、d50=9.168 μm石油焦粉为原料,除杂后d50=2.68 μm晶体硅砂浆切割废料为烧结助剂,采用碳热还原法原位合成高品质SiC/B4C复合陶瓷粉,研究了不同晶体硅砂浆切割废料添加量对经1 850 ℃保温50 min烧后试样的物相组成、显微结构及粒度大小的影响;并与在同样烧制条件下d50=2.673 μm碳化硼和d50=7.209 μm碳化硅机械混合制备的SiC/B4C复合陶瓷粉进行对比。结果表明:无论是原位合成还是机械混合均制备了含B4C和SiC的复合陶瓷粉,其中原位合成的B4C与SiC是生长在一起的晶粒,而机械混合烧制的产品为彼此界面分明的B4C与SiC晶粒;随着晶体硅砂浆切割废料的添加,B4C物相的衍射峰先增强再减弱,A_2#产品碳化硼与碳化硅物相的衍射峰强度均较高;得到的产品的粒度也是随着晶体硅砂浆切割废料的添加先减小后增大;较优的SiC/B4C复合陶瓷粉制备工艺为:原位合成,晶体硅砂浆切割废料添加量1.49%(w)。

所需耐材币:0
热点排行