为了更好地回收利用太阳能级多晶硅切割废料，采用蒸馏水将w(HF)=40%的浓氢氟酸稀释后作为浸出液酸洗处理多晶硅切割废料，以除去硅颗粒表面的SiO₂膜并浸出废料中被氧化膜包裹的部分金属杂质，将其提纯成含有碳化硅和硅的原料，并研究了浸出时间（分别为1、1.5、2、2.5、3 h）、浸出液浓度（浓氢氟酸体积分数分别为5%、15%、25%、35%、40%）、浸出温度（分别为15、25、35、45、55 ℃）、搅拌速度（分别为100、120、150、180、200 r·min^-1）、液固比（浸出液体积（mL）与切割废料质量（g）之比分别为31、3.51、41、4.51、51）等工艺因素对切割废料杂质浸出率的影响。结果表明，用氢氟酸处理多晶硅切割废料的较优工艺条件为：浸出液中浓氢氟酸体积分数15%，浸出温度15~25 ℃（室温），浸出时间2.5 h，浸出液体积（mL）与切割废料质量（g）之比41，搅拌速度150 r·min^-1。在此条件下进行的验证试验表明，酸洗除杂后的切割废料中Fe杂质浸出率达到98.83%，SiC和Si的含量（w）分别为87.34%和12.51%。可见，酸洗后的切割废料中SiC+Si含量（w）高达99.85%，可用作生产碳化硅、氮化硅等产品的原料。