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SiC晶须增强AlN陶瓷结合C复合耐火材料及其制备方法

申请号:CN2020105157476

申请日:2020-06-09

公开(公告)号:CN111732438A

公开(公告)日:2020-10-02

主分类号:C04B35/582(2006.01)I;

分类号:C04B35/582(2006.01)I; C04B35/81(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B35/66(2006.01)I;B28B3/00(2006.01)I

颁证日:

优先权:

申请(专利权)人:武汉科技大学

地址:430081湖北省武汉市青山区和平大道947号

发明(设计)人:余超; 吴欣欣;邓承继;丁军;祝洪喜;郑永翔

国际公布:

进入国家日期:

专利代理机构:武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222

代理人:张火春

内容简介

本发明涉及一种SiC晶须增强AlN陶瓷结合C复合耐火材料及其制备方法。其技术方案是:将装有Al4SiC4坯体的坩埚置于高温气压炉内,真空条件下加热至1150~1250℃,充氮气至0.1~5MPa,保压条件下升温至1600~1800℃,保温保压10~300min,制得制品。或将装有Al4SiC4坯体的坩埚置于高温气压炉内,在真空条件下加热至1150~1250℃,用5~10min充氮气至0.1~1MPa,保压条件下加热至1500~1600℃,保温保压10~300min;再用5~10min充氮气至1.2~7MPa,保压条件下继续加热至1600~1800℃,保温保压10~60min,制得制品。所述坯体是将Al4SiC4粉体模压成型或将Al4SiC4粉体模压成型后再等静压成型。本发明所制制品抗氧化性能优异、致密度高且力学性能好。

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所需耐材币:0

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