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一种多极镁电解槽用半硅砖及其制备工艺

申请号:CN2020104499476

申请日:2020-05-25

公开(公告)号:CN111574191A

公开(公告)日:2020-08-25

主分类号:C04B33/13(2006.01)I;

分类号:C04B33/13(2006.01)I;C04B35/66(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I;C25C3/04(2006.01)I;C25C7/00(2006.01)I

颁证日:

优先权:

申请(专利权)人:郑州宏瑞耐火材料有限公司

地址:450000河南省郑州市新密市超化镇东店村

发明(设计)人:周拴成; 刘彦锋;谷金勇;谷晓龙;申福昌

国际公布:

进入国家日期:

专利代理机构:郑州意创知识产权代理事务所(特殊普通合伙)41138

代理人:张江森

内容简介

本发明提供一种多极镁电解槽用半硅砖及其制备工艺,涉及节能型耐火材料技术领域,该半硅砖原料包括以下重量份的组分:叶腊石熟料颗粒30~50份、高岭土熟料颗粒10~20份、叶腊石细粉10~20份、高岭土粘土细粉15~25份、硅石细粉3~10份、硅微粉3~10份、纸浆溶液1~2份。本发明制备的半硅砖高温体积稳定,使用过程中稍微有膨胀,有利于提高砌体的整体性,减弱熔渣沿砖缝对砌体的侵蚀作用,半硅砖与高温熔渣接触后,发生化学反应,在砖的表面形成一层粘度很大的釉状物质,阻止熔渣向砖内渗透,形成一保护层,从而提高了抗热震侵蚀的能力。

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所需耐材币:0

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