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不同二氧化硅源对高温氮化反应合成氧氮化硅的影响

作者:文晋,聂建华,邱文冬,梁永和,赵伟,尹国恒,等

作者单位:武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,上海宝钢工业技术服务有限公司

会议录名称:第十八届全国高技术陶瓷学术年会

出版年:2014-11-19

起页:173-174

止页:

总页数:2

馆藏号:

分类号:TQ127.2

语种:中文

会议名称:第十八届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点:广东清远

会议时间:2014-11-19

会议主办者:中国硅酸盐学会

关键词:

内容简介

以单质硅和不同的二氧化硅(SiO2含量分别为98.3%、99.14%、97.67%、99.999%的分析纯二氧化硅、工业石英粉、SiO2微粉、高纯石英玻璃粉)为原料于1460℃下通入高纯氮气高温反应合成Si2N2O,并对合成的粉末进行XRD物相定性及定量分析,扫描电子显微镜对微观形貌观察及微区成分分析,研究了二氧化硅源对合成试样中的Si2N2O含量及形貌的影响。结果表明,以工业石英粉及SiO2微粉为二氧化硅源高温

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