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碳化硅浇注料在1000 ℃空气和水蒸气中的氧化

作者:石会营,曹会彦,王文武,张新华,许海洋,李杰

作者单位:中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 先进耐火材料国家重点实验室

会议录名称:2021年全国耐火原料学术交流会

出版年:2021-05-10

起页:1

止页:5

总页数:462

馆藏号:

分类号:TQ175

语种:中文

会议名称:2021年全国耐火原料学术交流会

会议地点:重庆

会议时间:2021-05-10

会议主办者:中国金属学会耐火材料分会

关键词:SiC 浇注料,静态空气氧化,水蒸气氧化,物相组成,显微结构

内容简介

利用扫描电镜、X 射线衍射仪等对碳化硅浇注料在 1000 ℃静态空气和纯水蒸气(参照ASTMC863-2000)中分别保温 50、100、150 h 的高温氧化行为进行了研究。结果表明:1)纯水蒸气氧化条件下碳化硅浇注料的质量变化率和体积变化率均明显大于静态空气条件下。2)和空气相比,水蒸气氧化对碳化硅浇注料的结构破坏更严重,随时间延长不能形成有效的保护膜,导致氧化反应持续进行,体积膨胀到一定程度,内部结构被破坏,材料开裂、剥落,失效。3)空气条件和水蒸气条件碳化硅浇注料抗氧化性能差异可能和氢键对氧化膜的破坏有关。

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