作者：李勇1)王佳平1)朱晓燕1)薄钧2)张建芳2)

作者单位：1)北京科技大学 材料科学与工程学院北京 100083 2)中钢集团耐火材料有限公司河南洛阳 47

刊名：

ISSN：1001-1935

出版年：2010-01-01

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期：04

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语种：中文

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内容简介

摘要：利用XRD、SEM和EDAX对在梭式氮化窑中使用1年后的反应烧结Si3N4-SiC匣钵砖内外侧进行了分析。结果表明：在匣钵外侧（氧化气氛），匣钵砖表面12 mm厚的区域呈完全氧化状态，主要氧化产物是SiO2；紧随其后的12～20 mm区域呈部分氧化状态，氧化产物主要为Si2N2O及少量SiO2；20 mm以后区域无明显氧化特征。在匣钵内侧（氮气气氛），匣钵砖表面出现了约0.2 mm厚的氧化层，主要氧化产物是SiO2，该SiO2可能是由气态SiO氧化形成的，而气态SiO主要来自SiC的氧化及氮化过程中形成的气态SiO；从显微结构可以看出，SiC颗粒表面氧化明显。
关键词：氮化，梭式窑，匣钵砖，反应烧结，Si3N4-SiC材料