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Al4SiC4粉体的中低温氧化动力学

作者:郑岐1孙侨阳2袁磊2

作者单位:1.中民驰远实业有限公司2.东北大学冶金学院

刊名:材料与冶金学报

ISSN:1671-6620

出版年:2024-05-21

卷:23

期:5

起页:427-431

止页:

分类号:TQ175.4;TB383.3

语种:中文

关键词:Al4SiC4粉体;含碳耐火材料;抗氧化性;动力学;

内容简介

以铝粉、硅粉、和碳粉为原料制备出Al4SiC4粉体,采用连续称重法研究了Al4SiC4粉体在600~1 200℃下的氧化动力学.研究结果表明,Al4SiC4粉体的氧化过程可分为两个阶段,两个阶段的氧化速率均随温度的升高而增大,但第二阶段的反应活化能远大于第一阶段的反应活化能.通过动力学分析可知,第一阶段的动力学方程符合表面化学反应控制模型,而第二阶段的动力学方程则符合扩散控制模型,两个阶段的氧化速率常数分别为:■.Al4SiC4粉体的整个氧化过程符合两阶段模型,这是由于在其表面生成了一层由Al2O3和SiO2组成的氧化膜.同时,该氧化膜使得反应物氧气和生成物二氧化碳的扩散变得缓慢,反应速率减小.因此,扩散被认为是整个氧化过程的限制性环节.

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