作者：刘运芳1张飞跃1冯嘉怡1李文广2刘正堂3

作者单位：1. 广西科技大学理学院2. 西南交通大学物理科学与技术学院3. 西北工业大学材料学院

刊名：原子与分子物理学报

ISSN：1000-0364

出版年：2023-11-22

卷：

期：3

起页：172-178

止页：

分类号：O469

语种：中文

关键词：Al4SiC4;电子结构;光学性质;第一性原理;

内容简介

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法系统地研究了Al4SiC4的晶体结构、弹性常数、电子结构和光学性质,并对结果进行了理论分析.计算得到的晶格常数和弹性常数均与实验值及其它计算值相符,并说明了六方Al4SiC4的晶体结构是稳定的;计算得到了六方Al4SiC4的体积、剪切、杨氏模量及泊松比与文献值一致,Al4SiC4的禁带宽度为1.076 eV.计算得到了六方Al4SiC4在(100)和(001)方向上的光学响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、吸收光谱及反射光谱.在(100)和(001)方向上,计算得到其静态介电常数分别为7.74和8.96,折射率分别为2.78和2.99.计算结果可以为相关应用提供理论依据.