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化学气相沉积法制备氮化硼纳米管的研究进展:反应装置、气源材料、催化剂

作者:龙晓阳1,2俄松峰2李朝威2李涛涛2吴隽1姚亚刚2

作者单位:1. 武汉科技大学耐火材料与冶金国家重点实验室2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

刊名:材料导报

ISSN:1005-023X

出版年:2017-10-10

卷:31

期:19

起页:19-27

止页:

分类号:TB383.1;TQ128

语种:中文

关键词:氮化硼纳米管;化学气相沉积;硼源;催化剂;

内容简介

氮化硼纳米管(BNNTs)具有优良的耐高温、抗氧化、防辐射、绝缘和导热性能,因此,在航空航天、辐射屏蔽、热界面材料以及深紫外发射等领域具有潜在的应用前景。然而,高品质BNNTs的可控制备和批量生产仍然是学术和工业界的重大挑战。在BNNTs的众多制备方法中,化学气相沉积法(CVD)是最有潜力实现其可控制备的方法之一。但是,科学家们对于CVD法制备BNNTs的催化机理和影响因素尚未形成共识。鉴于此,文章从反应装置、氮源、硼源和催化剂4个方面对CVD法制备BNNTs进行了综述,并系统总结了相应的规律。在此基础上,分析了目前BNNTs可控制备中存在的问题,并对CVD法在BNNTs可控制备中的作用进行了展望,以期对今后BNNTs的制备起到借鉴作用。

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