作者：张爽,程维高

作者单位：国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心

刊名：中国科技信息

ISSN：1001-8972

出版年：2023-04-15

卷：

期：8

起页：28-31

止页：

分类号：TQ133.1;TB383.3

语种：中文

关键词：

内容简介

技术概述氮化铝（AlN）具有高的热导率（理论可达320 W/（m·K）），其热膨胀系数较低（3.5×10-6 K-1）且能与Si材料相匹配，同时还具有高温绝缘性以及介电性能好的特点，因此，是电子封装和散热基板用的理想材料。AlN基板作为新能源汽车IGBT模块的关键承载体，同时也作为高频5G组件重要的低损耗、高导热的散热板，其市场价值不断提高。随着5G通信技术的发展，通信设备朝着小型化、