作者：罗星源

作者单位：冶金工业部洛阳耐火材料研究所

刊名：耐火材料

ISSN：1001-1935

出版年：1987-10-16

卷：21

期：5

起页：39

止页：43,47

分类号：TQ175

语种：中文

关键词：优势区,相图

内容简介

本文讨论了优势区相图(PAPD)的基本原理和计算方法。绘制出Si-N-O系统的两个优势区相图，得出(1)在PN2=1.67atm时Si3N4的稳定温度范围，(2)N2的压力超高，则Si3N4相越稳定。