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由SiO制备致密化SiC的研究

作者:王魁汉 照井敏胜 井上博文 大森康男

作者单位:东北工学院 日本东北大学选矿冶炼研究所

刊名:耐火材料

ISSN:1001-1935

出版年:1988-10-16

卷:22

期:5

起页:5

止页:9

分类号:TQ175

语种:中文

关键词:SiO,SiC

内容简介

本文探讨了利用SiO制备致密化SiC试样的可能性。试验结果表明,当温度为1700-1800℃,采用化学气相沉积(CVD)法,经一定时间后,可以获得致密化的SiC试样。

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